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Intelligent Memory Computing Device Laboratory

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Total 38건 1 페이지
  • 2Domestic Patents

  • 38

    "적어도 하나의 지문을 인식 및 이를 저장하기 위한 전자 장치 및 그 구동 방법"

    장병철, 김기한, 김영권, 국내출원, 10-2024-0133144, 2024.09.30,

  • 37

    "2차원 반도체 기반 3차원 수직 전하 저장 메모리"

    서준기, 이휘민, 장병철, 국내출원, 10-2023-0102389, 2023.08.04,

  • 36

    "반영구화장의 비포 앤 애프터 이미지를 생성할 수 있는 방법 및 시스템"

    장병철, 김남주, 국내 출원, 10-2022-0182707, 2022.12.23 (기술 이전)

  • 35

    "메모리 장치, 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법"

    오은주, 석준영, 송영걸, 장병철, 국내 출원, 10-2022-0060427, 2022.05.17 (@Samsung)

  • 34

    "리커버리 동작을 수행하는 메모리 시스템, 메모리 장치 및 그 동작방법"

    송영걸, 장병철, 석준영, 오은주, 국내 출원, 10-2022-0055022, 2022.05.03 (@Samsung)

  • 33

    "비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법"

    송영걸, 석준영, 오은주, 김민호, 장병철, 국내 출원, 10-2022-0012579, 2022.01.27 (@Samsung)

  • 32

    "스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법"

    오은주, 석준영, 송영걸, 이위직, 장병철, 국내 출원, 10-2021-0012579, 2021.12.09 (@Samsung)

  • 31

    "웨이퍼-투-웨이퍼 본딩을 이용하는 스토리지 장치 및 그의 제조 방법"

    송영걸, 석준영, 오은주, 장병철, 국내 출원, 10-2021-0158924, 2021.11.17 (@Samsung)

  • 30

    "스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법"

    오은주, 석준영, 송영걸, 장병철, 국내 출원, 10-2021-0132919, 2021.10.07 (@Samsung)

  • 29

    "웨이퍼-투-웨이퍼 본딩을 이용하는 3차원 스토리지 장치"

    오은주, 석준영, 송영걸, 장병철, 국내 출원, 10-2021-0112469, 2021.08.25 (@Samsung)

  • 28

    "웨이퍼-투-웨이퍼 본딩을 이용하는 3차원 스토리지 장치"

    오은주, 석준영, 송영걸, 장병철, 임준성, 국내 출원, 10-2021-0107892, 2021.08.17 (@Samsung)

  • 27

    "스토리지 장치"

    석준영, 송영걸, 오은주, 장병철, 임준성, 국내 출원, 10-2021-0106446, 2021.08.12 (@Samsung)

  • 26

    "웨이퍼-투-웨이퍼 본딩을 이용하는 3차원 스토리지 장치"

    장병철, 석준영, 송영걸, 오은주, 임준성, 국내 출원, 10-2021-0102666, 2021.08.04 (@Samsung)

  • 25

    "반도체 소자 및 이를 포함하는 메모리 시스템"

    송영걸, 석준영, 오은주, 장병철, 임준성, 국내 출원, 10-2021-0092380, 2021.07.14 (@Samsung)

  • 24

    "비휘발성 메모리 장치, 그것을 제어하는 제어기, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법"

    장병철, 석준영, 송영걸, 오은주, 임준성, 국내 출원, 10-2021-0092395, 2021.07.14 (@Samsung)

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